半導體設備有哪些？如何分類(lèi)？

半導體設備泛指用于生產(chǎn)各類(lèi)半導體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設備，屬于半導體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵支撐環(huán)節。半導體設備是半導體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)先導者，芯片設計、晶圓制造和封裝測試等需在設備技術(shù)允許的范圍內設計和制造，設備的技術(shù)進(jìn)步又反過(guò)來(lái)推動(dòng)半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

以半導體產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)難度高、附加值、工藝復雜的集成電路為例，應用于集成電路領(lǐng)域的設備通常可分為前道工藝設備（晶圓制造）和后道工藝設備（封裝測試）兩大類(lèi)。

其中的前道晶圓制造中的七大步驟分別為氧化／擴散，光刻，刻蝕，清洗，離子注入，薄膜生長(cháng)，拋光。每個(gè)步驟用到的半導體設備具體如下：

一、氧化／擴散／退火

氧化是將硅片放置于氧氣或水汽等氧化劑的氛圍中進(jìn)行高溫熱處理，在硅片表面發(fā)生化學(xué)反應形成氧化膜的過(guò)程；擴散是指在高溫條件下，利用熱擴散原理將雜質(zhì)元素按工藝要求摻入硅襯底中，使其具有特定的濃度分布，從而改變硅材料的電學(xué)特性；退火是指加熱離子注入后的硅片，修復離子注入帶來(lái)的晶格缺陷的過(guò)程。

擴散爐

擴散爐用于大規模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導纖維等行業(yè)的擴散、氧化、退火、合金及燒結等工藝。擴散工藝的主要用途是在高溫條件下對半導體晶圓進(jìn)行摻雜，即將元素磷、硼擴散入硅片，從而改變和控制半導體內雜質(zhì)的類(lèi)型、濃度和分布，以便建立起不同的電特性區域。

氧化爐

為半導體材料進(jìn)氧化處理，提供要求的氧化氛圍，實(shí)現半導體設計預期的氧化處理，是半導體加工過(guò)程不可或缺的一個(gè)環(huán)節。

退火爐

半導體器件制造中使用的一種工藝設備，其包括加熱多個(gè)半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設計的。可以加熱晶片以摻雜劑，將薄膜轉換成薄膜或將薄膜轉換成晶片襯底界面，使致密沉積的薄膜，改變生長(cháng)的薄膜的狀態(tài)，修復注入的損傷，移動(dòng)摻雜劑或將摻雜劑從一個(gè)薄膜轉移到另一個(gè)薄膜或從薄膜進(jìn)入晶圓襯底。